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#1 · 2026-05-16, 17:47

強い注意（必読）

登録不要投稿 = スパム大量流入のリスク極大。worth2know.com は公開ドメインのため、ボットに即発見される。最低限の対策を同時導入推奨:

Akismet 有効化（無料枠あり）
CAPTCHA: Asgaros Settings内にCAPTCHA項目あり → ON。または「Advanced noCaptcha & invisible Captcha」「Cloudflare Turnstile」系プラグイン併用
スパム多発時は「承認制」（投稿を管理者承認後公開）に切替検討 → Settings内モデレーション項目

無防備な登録不要フォーラムは数日で広告書き込み埋め尽くされる実例多数。CAPTCHA最低1つは同時必須。

Settingsタブに該当項目見つからなければ、画面に出てるタブ名一覧を教えてくれれば正確な位置を特定する。

#2 · 2026-05-16, 18:30

*****
SELECT
id,label,QualifiedApiName,DataType,DurableID
FROM FieldDefinition
where EntityDefinition.QualifiedApiName in ('Lead', 'account')
and QualifiedApiName like '%JP%'

SELECT
Id,name, LastReferencedDate,developername,CreatedBy.Name,lastrundate,Description , lastmodifieddate
FROM Report
where developername like '%FOR%'
order by lastrundate desc nulls last

#3 · 2026-05-16, 18:46

SELECT
MetadataComponentName
FROM MetadataComponentDependency

INVALID_TYPE: sObject type 'MetadataComponentDependency' is not supported.

Error querying tooling particles: INVALID_TYPE: sObject type 'EntityParticle' is not supported.

Error describing object: NOT_FOUND: The requested resource does not exist

#4 · 2026-05-16, 20:00

SELECT Id, Name, DeveloperName, FolderName, Description,
CreatedBy.Name, LastRunDate, LastModifiedDate, LastReferencedDate
FROM Report
WHERE Name LIKE '%forcas%' OR Name LIKE '%FSJP%'
OR Name LIKE '%industr%' OR Name LIKE '%sector%'
OR Name LIKE '%subsector%'
OR DeveloperName LIKE '%forcas%' OR DeveloperName LIKE '%FSJP%'
OR Description LIKE '%FSJP_custom_forcas%'
ORDER BY LastRunDate DESC NULLS LAST

--

SELECT Id, Name, DeveloperName, FolderName, Description,
CreatedBy.Name, LastRunDate, LastModifiedDate, LastReferencedDate
FROM Report
ORDER BY LastRunDate DESC NULLS LAST

#5 · 2026-05-21, 16:31

緊急時の優先配分の階層
─────────────────────────────────
[原料層]
石油需給適正化法 → 石油の配給・割当
[中間財層]
経済安全保障推進法 → 特定重要物資の安定供給
（化学品は2026年度指定検討中）
[最終財・生活関連物資層]
国民生活安定緊急措置法第22条・第26条 ★
買占め・売惜しみ防止法第4条
[医療物資特化]
感染症法・新型インフル特措法
パンデミック備蓄義務（医療用手袋7.29億枚）

法律条文機能国民生活安定緊急措置法第22条売渡先を指定して売渡指示 → 医療機関への優先供給可能国民生活安定緊急措置法第26条譲渡制限・転売規制買占め売惜しみ防止法第4条売渡命令（罰則3年以下）石油需給適正化法配給・割当規定上流の石油段階での優先配分感染症法・新型インフル特措法各種医療物資の確保義務経済安全保障推進法特定重要物資指定中長期の供給確保（化学品は検討中）

#6 · 2026-05-23, 18:21

ウェーハー製造 │ フォトマスク │ 成膜 │ レジスト塗布 │ 露光 │
├──────────┼──────────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼───────────────────────┤
│ ナフサ不 │ 洗浄溶剤・ポリマーキ │ ペリクル膜・有機 │ CVD有機前駆体・ │ 原料・溶剤の直撃 │ 上流レジスト不足によ │
│ 足の課題 │ ャリア調達難 │ 洗浄剤不足 │ 装置部品調達難 │ （最重要） │ る歩留まり制約

#7 · 2026-05-23, 18:22

Quote from Guest on 2026-05-23, 18:22
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ナフサ不足が半導体製造プロセスに与える影響とCAE利用促進の論点

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【スライド1】全体サマリーマトリクス

タイトル：ナフサ不足は製造プロセス全域を直撃 ─ CAEが代替・最適化の切り札となる

┌──────────┬──────────────────────┬──────────────────┬──────────────────┬──────────────────┬───────────────────────┐
│ │ ウェーハー製造 │ フォトマスク │ 成膜 │ レジスト塗布 │ 露光 │
├──────────┼──────────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼───────────────────────┤
│ ナフサ不 │ 洗浄溶剤・ポリマーキ │ ペリクル膜・有機 │ CVD有機前駆体・ │ 原料・溶剤の直撃 │ 上流レジスト不足によ │
│ 足の課題 │ ャリア調達難 │ 洗浄剤不足 │ 装置部品調達難 │ （最重要） │ る歩留まり制約 │
├──────────┼──────────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼───────────────────────┤
│ CAE利用 │ 代替洗浄液の流体解析 │ 光学・電磁波解析 │ ガス流体・熱解析 │ スピンコート流体 │ 露光条件最適化シミュ │
│ 促進の理 │ 、材料代替時の構造解 │ でマスク寿命最大 │ で前駆体使用量削 │ 解析で塗布量最適 │ レーションで歩留まり │
│ 由 │ 析 │ 化 │ 減 │ 化 │ 維持 │
└──────────┴──────────────────────┴──────────────────┴──────────────────┴──────────────────┴───────────────────────┘

▎ 読み解きポイント：レジスト塗布が最直接的影響。ただし課題は上流から下流へ連鎖するため、全プロセスで同時対策が必要。

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【スライド2】ウェーハー製造

タイトル：有機溶剤・ポリマー部材の代替材料探索が急務

ナフサ不足の課題
- IPA（イソプロパノール）等の洗浄用有機溶剤の調達難・価格高騰
- 平易な言い換え：ウェーハ表面の汚れを落とす"シンナー的な液体"が原料不足で入手困難になる
- FOUP（ウェーハ収納容器）等のポリマー系部材の供給不安
- CMP研磨液の有機添加剤調達リスク

▎ 根拠：
▎ IPAはナフサ由来のプロピレンを原料とする。2022年の石油化学クラッカー稼働率低下時に同様の供給制約が発生した実績あり。

▎ 別視点（反論）：
▎ 超純水洗浄（SC-1/SC-2）はすでに主流であり、IPA依存度は低い工程も多い。ただし最終洗浄・乾燥工程では代替困難。

CAE利用が促進される理由
- 流体シミュレーション：代替洗浄液（超純水・炭酸水等）の洗浄効果を事前検証 → 実機試験コスト削減
- 構造解析：代替ポリマー材料（例：PEEK→PFA切替）の強度・耐薬品性を仮想評価
- 熱解析：乾燥プロセスの温度分布最適化で溶剤使用量を最小化

┌────────────────────────────────────┬────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├────────────────────────────────────┼────────────────────────────────────────┤
│ 実機なしで代替材料を絞り込める │ シミュレーション精度に物性データが必要 │
├────────────────────────────────────┼────────────────────────────────────────┤
│ リードタイム短縮（試作→評価→採用） │ CAEモデル構築の初期工数がかかる │
└────────────────────────────────────┴────────────────────────────────────────┘

---
【スライド3】フォトマスク

タイトル：ペリクル膜の供給リスクがマスク保護機能を脅かす

ナフサ不足の課題
- ペリクル膜（マスク保護フィルム）の原料フッ素系高分子（PTFE/PFA系）が石化由来原料に依存
- 平易な言い換え：マスクに埃が付かないよう貼る"透明な保護シート"の材料が不足する
- マスク洗浄工程の有機溶剤（アセトン・PGMEA等）の調達難
- マスク収納ポッドのポリマーケースの部材リスク

▎ 根拠：フッ素樹脂の製造にはナフサ由来のクロロホルムが前駆体として使われるケースがある。AGCや日東電工等の国内主要サプライ
▎ ヤーも石化コスト増の影響を公表済み。

▎ 別視点（反論）： EUVマスクはペリクルなしでも運用されるケースが増えており（Intel・TSMC等）、短期的には代替運用可能。ただし
▎ 歩留まりリスクは増大する。

CAE利用が促進される理由
- 光学シミュレーション（波動光学解析）：マスクパターンの最適設計でリワーク回数削減 → 1枚のマスク使用回数を最大化
- 電磁波解析：EUVマスクの反射率・位相特性を仮想検証し、設計手戻りを防止
- 構造解析：ペリクル膜代替材料（窒化シリコン薄膜等）の機械的耐久性シミュレーション

┌───────────────────────────────────────────────────┬──────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├───────────────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ マスク枚数削減 → 調達コスト・資材リスクを直接圧縮 │ EUV光学系のCAEモデルは高精度が必要で専門性が高い │
├───────────────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ 設計最適化で不良マスクの廃棄ロスを削減 │ 実際のマスク製造ばらつきとのギャップが残る │
└───────────────────────────────────────────────────┴──────────────────────────────────────────────────┘

---
【スライド4】成膜（CVD / PVD / ALD）

タイトル：有機前駆体ガスとシール部品の同時調達リスクに備える

ナフサ不足の課題
- CVD有機前駆体（TEOS：酸化シリコン用、HMDS、low-k膜用有機原料等）の供給制約
- 平易な言い換え：薄膜を作るための"ガス状の原料"がナフサを出発点に製造されており、不足するとそもそも膜が作れない
- 装置内のポリマーシール・チューブ類（Oリング、フッ素ホース等）の代替調達困難
- low-k誘電体膜（有機Si系）の前駆体価格高騰 → 製造コスト上昇

▎ 根拠： TEOSはエタノール（ナフサ由来エチレンから合成）を原料とする。low-k膜（比誘電率3以下）のほぼすべてが有機Si前駆体を使
▎ 用する。IMEC等の公表資料でも前駆体サプライチェーンリスクが指摘されている。

▎ 別視点（反論）： PVD（スパッタリング）はターゲット材料（金属）が主原料であり、ナフサ不足の直接影響は軽微。成膜手法の選択
▎ 余地がある工程では代替可能。

CAE利用が促進される理由
- 流体シミュレーション（CFD）：チャンバー内ガス流れ最適化 → 前駆体の無駄な消費を削減（使用量10〜20%削減実績あり）
- 熱シミュレーション：ウェーハ面内温度均一化 → 成膜ばらつき低減・歩留まり向上
- 材料シミュレーション（分子動力学）：代替前駆体の反応特性を仮想評価し実験コスト削減

┌───────────────────────────────────────────────┬───────────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├───────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────────┤
│ 前駆体使用量最適化 → コスト・調達量の直接削減 │ CFDモデルの精度は実機データのキャリブレーションが必要 │
├───────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────────┤
│ 代替材料開発の実験コスト削減 │ 分子動力学は計算コストが高く、専門人材が必要 │
└───────────────────────────────────────────────┴───────────────────────────────────────────────────────┘

---
【スライド5】レジスト塗布

タイトル：全プロセス中で最もナフサ依存度が高い ─ 使用量最適化が最優先課題

ナフサ不足の課題（最重要プロセス）
- フォトレジスト樹脂（ノボラック樹脂・化学増幅型レジストのベースポリマー）の原料がナフサ由来ベンゼン・フェノール系
- 平易な言い換え：光を当てると溶ける"感光性塗料"の主成分がナフサなしでは作れない
- 溶剤（PGMEA・シクロヘキサノン等）の価格高騰・供給制約
- 代替レジスト（メタルオキサイド系等）はコスト10倍以上で短期代替困難

▎ 根拠：化学増幅型レジスト（ArF/EUV用）のベースポリマーはアクリル酸誘導体が主流で、これはナフサ由来のプロピレン→アクリロニ
▎ トリルの誘導体。国内ではJSR・信越化学・住友化学等が製造するが、原料調達コストが開示されている。

▎ 別視点（反論）：一部のEUV向けメタルオキサイドレジスト（例：インプリア社製）はナフサ非依存だが、ArF世代への適用は現時点で
▎ 限定的。完全置換には5〜10年単位の移行期間が必要。

CAE利用が促進される理由
- スピンコーティング流体解析：塗布膜厚・均一性の最適化 → レジスト廃棄ロス20〜30%削減（実績ベース）
- 熱・溶剤蒸発シミュレーション：ベーク条件最適化による乾燥工程の歩留まり改善
- 材料配合シミュレーション：代替レジスト組成の塗布・感度特性を仮想評価

┌──────────────────────────────────────────┬──────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├──────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ 塗布量最適化は即時・直接のコスト削減効果 │ スピンコートのマルチフィジクス解析は難易度が高い │
├──────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ 代替レジスト開発期間の大幅短縮 │ 物性データが非公開の場合モデル構築が困難 │
└──────────────────────────────────────────┴──────────────────────────────────────────────────┘

---
【スライド6】露光

タイトル：直接影響は軽微だが、上流連鎖が歩留まりリスクに直結

ナフサ不足の課題
- 直接依存度は低い（露光装置の主要材料：合成石英・CaF₂レンズはナフサ非依存）
- ただし上流のレジスト不足 → 露光可能ウェーハ枚数の制約が生じる
- 液浸リソグラフィー用有機系添加剤（Top Coat材等）の調達リスク
- 反射防止膜（有機BARC/TARC）の原料供給不安

▎ 根拠：露光工程自体の化学品依存度は低いが、前工程のレジスト塗布不足が直接ボトルネックになる。JEITAの2023年供給リスクレポ
▎ ートでも「プロセス連鎖リスク」として言及。

▎ 別視点（反論）： EUV露光はレジスト感度が高いため、少量レジストで対応できる。ナフサ不足下ではArFよりEUV移行を加速するイン
▎ センティブになり得る（プロセス進化を促す可能性）。

CAE利用が促進される理由
- 光学シミュレーション（wave optics / OPC）：1回の露光で取れるパターン良品率を最大化 → レジスト消費枚数を実質削減
- 電磁波解析（EUV照明系）：EUVミラー最適設計で照明効率向上・スループット改善
- 機構解析：露光ステージの振動・熱変形シミュレーションで重ね合わせ精度維持

┌───────────────────────────────────────────────────┬───────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├───────────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────┤
│ 上流不足を「1回あたりの歩留まり向上」で補完できる │ 露光シミュレーションはOPC等の高専門性ツールが必要 │
├───────────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────┤
│ EUV移行加速に向けた設計検証コスト削減 │ 既存ArF工程での即効性は限定的 │
└───────────────────────────────────────────────────┴───────────────────────────────────────────────────┘

---
【スライド7】経営層向け示唆 ─ 当社CAEビジネスへの展開

タイトル：ナフサ不足は「材料・プロセス最適化CAE」の需要を構造的に押し上げる

結論

▎ 調達リスクが高まるほど「実機試験を減らしてシミュレーションで代替する」需要が増加する。当社CAEソリューション（流体・熱・構
▎ 造・光学・機構）はこの課題に直接適合する。

3つの重点提案領域

┌────────┬────────────────┬──────────────────┬──────────────────────────────────┐
│ 優先度 │ プロセス │ CAE種別 │ 顧客課題 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★★★ │ レジスト塗布 │ 流体・熱解析 │ レジスト使用量削減・代替材料評価 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★★★ │ 成膜 │ CFD・材料解析 │ 前駆体使用量最適化 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★★ │ フォトマスク │ 光学・電磁波解析 │ マスク寿命最大化・EUV対応 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★ │ 露光 │ 光学解析 │ 歩留まり維持・EUV移行支援 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★ │ ウェーハー製造 │ 流体・構造解析 │ 代替洗浄液・部材評価 │
└────────┴────────────────┴──────────────────┴──────────────────────────────────┘

次のアクション（SMART目標）

- S：材料・パッケージメーカー顧客上位20社に「ナフサ不足対応CAE提案書」を届ける
- M：初期3ヶ月で5社に課題ヒアリング実施、2社でPoC（概念実証）受注
- A：既存CAEツール（Ansys / Comsol 等）の適用事例を社内整備して提案に使用
- R：顧客の原材料コスト削減KPIに直結する提案として差別化
- T： 2026年Q3中に初期提案フェーズ完了

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ナフサ不足が半導体製造プロセスに与える影響とCAE利用促進の論点

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【スライド1】全体サマリーマトリクス

タイトル：ナフサ不足は製造プロセス全域を直撃 ─ CAEが代替・最適化の切り札となる

┌──────────┬──────────────────────┬──────────────────┬──────────────────┬──────────────────┬───────────────────────┐
│ │ ウェーハー製造 │ フォトマスク │ 成膜 │ レジスト塗布 │ 露光 │
├──────────┼──────────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼───────────────────────┤
│ ナフサ不 │ 洗浄溶剤・ポリマーキ │ ペリクル膜・有機 │ CVD有機前駆体・ │ 原料・溶剤の直撃 │ 上流レジスト不足によ │
│ 足の課題 │ ャリア調達難 │ 洗浄剤不足 │ 装置部品調達難 │ （最重要） │ る歩留まり制約 │
├──────────┼──────────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼──────────────────┼───────────────────────┤
│ CAE利用 │ 代替洗浄液の流体解析 │ 光学・電磁波解析 │ ガス流体・熱解析 │ スピンコート流体 │ 露光条件最適化シミュ │
│ 促進の理 │ 、材料代替時の構造解 │ でマスク寿命最大 │ で前駆体使用量削 │ 解析で塗布量最適 │ レーションで歩留まり │
│ 由 │ 析 │ 化 │ 減 │ 化 │ 維持 │
└──────────┴──────────────────────┴──────────────────┴──────────────────┴──────────────────┴───────────────────────┘

▎ 読み解きポイント：レジスト塗布が最直接的影響。ただし課題は上流から下流へ連鎖するため、全プロセスで同時対策が必要。

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【スライド2】ウェーハー製造

タイトル：有機溶剤・ポリマー部材の代替材料探索が急務

ナフサ不足の課題
- IPA（イソプロパノール）等の洗浄用有機溶剤の調達難・価格高騰
- 平易な言い換え：ウェーハ表面の汚れを落とす"シンナー的な液体"が原料不足で入手困難になる
- FOUP（ウェーハ収納容器）等のポリマー系部材の供給不安
- CMP研磨液の有機添加剤調達リスク

▎ 根拠：
▎ IPAはナフサ由来のプロピレンを原料とする。2022年の石油化学クラッカー稼働率低下時に同様の供給制約が発生した実績あり。

▎ 別視点（反論）：
▎ 超純水洗浄（SC-1/SC-2）はすでに主流であり、IPA依存度は低い工程も多い。ただし最終洗浄・乾燥工程では代替困難。

CAE利用が促進される理由
- 流体シミュレーション：代替洗浄液（超純水・炭酸水等）の洗浄効果を事前検証 → 実機試験コスト削減
- 構造解析：代替ポリマー材料（例：PEEK→PFA切替）の強度・耐薬品性を仮想評価
- 熱解析：乾燥プロセスの温度分布最適化で溶剤使用量を最小化

┌────────────────────────────────────┬────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├────────────────────────────────────┼────────────────────────────────────────┤
│ 実機なしで代替材料を絞り込める │ シミュレーション精度に物性データが必要 │
├────────────────────────────────────┼────────────────────────────────────────┤
│ リードタイム短縮（試作→評価→採用） │ CAEモデル構築の初期工数がかかる │
└────────────────────────────────────┴────────────────────────────────────────┘

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【スライド3】フォトマスク

タイトル：ペリクル膜の供給リスクがマスク保護機能を脅かす

ナフサ不足の課題
- ペリクル膜（マスク保護フィルム）の原料フッ素系高分子（PTFE/PFA系）が石化由来原料に依存
- 平易な言い換え：マスクに埃が付かないよう貼る"透明な保護シート"の材料が不足する
- マスク洗浄工程の有機溶剤（アセトン・PGMEA等）の調達難
- マスク収納ポッドのポリマーケースの部材リスク

▎ 根拠：フッ素樹脂の製造にはナフサ由来のクロロホルムが前駆体として使われるケースがある。AGCや日東電工等の国内主要サプライ
▎ ヤーも石化コスト増の影響を公表済み。

▎ 別視点（反論）： EUVマスクはペリクルなしでも運用されるケースが増えており（Intel・TSMC等）、短期的には代替運用可能。ただし
▎ 歩留まりリスクは増大する。

CAE利用が促進される理由
- 光学シミュレーション（波動光学解析）：マスクパターンの最適設計でリワーク回数削減 → 1枚のマスク使用回数を最大化
- 電磁波解析：EUVマスクの反射率・位相特性を仮想検証し、設計手戻りを防止
- 構造解析：ペリクル膜代替材料（窒化シリコン薄膜等）の機械的耐久性シミュレーション

┌───────────────────────────────────────────────────┬──────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├───────────────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ マスク枚数削減 → 調達コスト・資材リスクを直接圧縮 │ EUV光学系のCAEモデルは高精度が必要で専門性が高い │
├───────────────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ 設計最適化で不良マスクの廃棄ロスを削減 │ 実際のマスク製造ばらつきとのギャップが残る │
└───────────────────────────────────────────────────┴──────────────────────────────────────────────────┘

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【スライド4】成膜（CVD / PVD / ALD）

タイトル：有機前駆体ガスとシール部品の同時調達リスクに備える

ナフサ不足の課題
- CVD有機前駆体（TEOS：酸化シリコン用、HMDS、low-k膜用有機原料等）の供給制約
- 平易な言い換え：薄膜を作るための"ガス状の原料"がナフサを出発点に製造されており、不足するとそもそも膜が作れない
- 装置内のポリマーシール・チューブ類（Oリング、フッ素ホース等）の代替調達困難
- low-k誘電体膜（有機Si系）の前駆体価格高騰 → 製造コスト上昇

▎ 根拠： TEOSはエタノール（ナフサ由来エチレンから合成）を原料とする。low-k膜（比誘電率3以下）のほぼすべてが有機Si前駆体を使
▎ 用する。IMEC等の公表資料でも前駆体サプライチェーンリスクが指摘されている。

▎ 別視点（反論）： PVD（スパッタリング）はターゲット材料（金属）が主原料であり、ナフサ不足の直接影響は軽微。成膜手法の選択
▎ 余地がある工程では代替可能。

CAE利用が促進される理由
- 流体シミュレーション（CFD）：チャンバー内ガス流れ最適化 → 前駆体の無駄な消費を削減（使用量10〜20%削減実績あり）
- 熱シミュレーション：ウェーハ面内温度均一化 → 成膜ばらつき低減・歩留まり向上
- 材料シミュレーション（分子動力学）：代替前駆体の反応特性を仮想評価し実験コスト削減

┌───────────────────────────────────────────────┬───────────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├───────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────────┤
│ 前駆体使用量最適化 → コスト・調達量の直接削減 │ CFDモデルの精度は実機データのキャリブレーションが必要 │
├───────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────────┤
│ 代替材料開発の実験コスト削減 │ 分子動力学は計算コストが高く、専門人材が必要 │
└───────────────────────────────────────────────┴───────────────────────────────────────────────────────┘

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【スライド5】レジスト塗布

タイトル：全プロセス中で最もナフサ依存度が高い ─ 使用量最適化が最優先課題

ナフサ不足の課題（最重要プロセス）
- フォトレジスト樹脂（ノボラック樹脂・化学増幅型レジストのベースポリマー）の原料がナフサ由来ベンゼン・フェノール系
- 平易な言い換え：光を当てると溶ける"感光性塗料"の主成分がナフサなしでは作れない
- 溶剤（PGMEA・シクロヘキサノン等）の価格高騰・供給制約
- 代替レジスト（メタルオキサイド系等）はコスト10倍以上で短期代替困難

▎ 根拠：化学増幅型レジスト（ArF/EUV用）のベースポリマーはアクリル酸誘導体が主流で、これはナフサ由来のプロピレン→アクリロニ
▎ トリルの誘導体。国内ではJSR・信越化学・住友化学等が製造するが、原料調達コストが開示されている。

▎ 別視点（反論）：一部のEUV向けメタルオキサイドレジスト（例：インプリア社製）はナフサ非依存だが、ArF世代への適用は現時点で
▎ 限定的。完全置換には5〜10年単位の移行期間が必要。

CAE利用が促進される理由
- スピンコーティング流体解析：塗布膜厚・均一性の最適化 → レジスト廃棄ロス20〜30%削減（実績ベース）
- 熱・溶剤蒸発シミュレーション：ベーク条件最適化による乾燥工程の歩留まり改善
- 材料配合シミュレーション：代替レジスト組成の塗布・感度特性を仮想評価

┌──────────────────────────────────────────┬──────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├──────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ 塗布量最適化は即時・直接のコスト削減効果 │ スピンコートのマルチフィジクス解析は難易度が高い │
├──────────────────────────────────────────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│ 代替レジスト開発期間の大幅短縮 │ 物性データが非公開の場合モデル構築が困難 │
└──────────────────────────────────────────┴──────────────────────────────────────────────────┘

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【スライド6】露光

タイトル：直接影響は軽微だが、上流連鎖が歩留まりリスクに直結

ナフサ不足の課題
- 直接依存度は低い（露光装置の主要材料：合成石英・CaF₂レンズはナフサ非依存）
- ただし上流のレジスト不足 → 露光可能ウェーハ枚数の制約が生じる
- 液浸リソグラフィー用有機系添加剤（Top Coat材等）の調達リスク
- 反射防止膜（有機BARC/TARC）の原料供給不安

▎ 根拠：露光工程自体の化学品依存度は低いが、前工程のレジスト塗布不足が直接ボトルネックになる。JEITAの2023年供給リスクレポ
▎ ートでも「プロセス連鎖リスク」として言及。

▎ 別視点（反論）： EUV露光はレジスト感度が高いため、少量レジストで対応できる。ナフサ不足下ではArFよりEUV移行を加速するイン
▎ センティブになり得る（プロセス進化を促す可能性）。

CAE利用が促進される理由
- 光学シミュレーション（wave optics / OPC）：1回の露光で取れるパターン良品率を最大化 → レジスト消費枚数を実質削減
- 電磁波解析（EUV照明系）：EUVミラー最適設計で照明効率向上・スループット改善
- 機構解析：露光ステージの振動・熱変形シミュレーションで重ね合わせ精度維持

┌───────────────────────────────────────────────────┬───────────────────────────────────────────────────┐
│ メリット │ デメリット │
├───────────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────┤
│ 上流不足を「1回あたりの歩留まり向上」で補完できる │ 露光シミュレーションはOPC等の高専門性ツールが必要 │
├───────────────────────────────────────────────────┼───────────────────────────────────────────────────┤
│ EUV移行加速に向けた設計検証コスト削減 │ 既存ArF工程での即効性は限定的 │
└───────────────────────────────────────────────────┴───────────────────────────────────────────────────┘

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【スライド7】経営層向け示唆 ─ 当社CAEビジネスへの展開

タイトル：ナフサ不足は「材料・プロセス最適化CAE」の需要を構造的に押し上げる

結論

▎ 調達リスクが高まるほど「実機試験を減らしてシミュレーションで代替する」需要が増加する。当社CAEソリューション（流体・熱・構
▎ 造・光学・機構）はこの課題に直接適合する。

3つの重点提案領域

┌────────┬────────────────┬──────────────────┬──────────────────────────────────┐
│ 優先度 │ プロセス │ CAE種別 │ 顧客課題 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★★★ │ レジスト塗布 │ 流体・熱解析 │ レジスト使用量削減・代替材料評価 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★★★ │ 成膜 │ CFD・材料解析 │ 前駆体使用量最適化 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★★ │ フォトマスク │ 光学・電磁波解析 │ マスク寿命最大化・EUV対応 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★ │ 露光 │ 光学解析 │ 歩留まり維持・EUV移行支援 │
├────────┼────────────────┼──────────────────┼──────────────────────────────────┤
│ ★ │ ウェーハー製造 │ 流体・構造解析 │ 代替洗浄液・部材評価 │
└────────┴────────────────┴──────────────────┴──────────────────────────────────┘

次のアクション（SMART目標）

- S：材料・パッケージメーカー顧客上位20社に「ナフサ不足対応CAE提案書」を届ける
- M：初期3ヶ月で5社に課題ヒアリング実施、2社でPoC（概念実証）受注
- A：既存CAEツール（Ansys / Comsol 等）の適用事例を社内整備して提案に使用
- R：顧客の原材料コスト削減KPIに直結する提案として差別化
- T： 2026年Q3中に初期提案フェーズ完了